台灣新版小百岳一覽表

台灣新版小百岳一覽表

來算算我已經爬了幾座小百岳吧，隨時會更新。
結果到目前(2022.8.6)為止，我已經完成31座小百岳。

宜蘭大同-松羅國家步道

宜蘭大同-松羅國家步道
旅遊日期：2022年7月23日 (Sat.)
天氣：晴
人員：SL, lesley, 小倩, 小飛, 小傑, 何老和謝老

松羅國家步道位在宜蘭縣大同鄉松羅部落，為往日泰雅族原住民的獵徑，現在則整理成步道供遊客行走。它主要是沿著松羅溪而行，全長約為2公里， 平緩好走，為宜蘭知名的步道之一。

今天和小倩的朋友們一起去宜蘭民宿包棟玩耍，經何老、謝老相約，去民宿前先來走個步道，再去民宿會合，晚上去吃燒烤。

小百岳012-汐止大尖山

小百岳012-汐止大尖山

旅遊日期：2022年6月10日 (Fri.)

天氣：陰

人員：bu

今天放風一天，下午要去汐止接lesley下班，趁著還有些空檔，來走走汐止大尖山。這是第二次來這，前一次已經是2009年6月22日的事了。大尖山高度有460公尺，為汐止地區的熱門景點，也是台灣小百岳第012號，這次還是從天秀宮起登。

2022露營紀錄

因為covid-19的關係，去年5/1後就沒再去過露營了。睽違將近一年，這
和之前一樣，這篇簡單紀錄2022年的露營紀錄，免得久了就忘了露過幾次?和哪些人去?去過哪些營地等?到目前為止，今年共露了1次。

深層n型井 Deep N-Well (DNW)

發現一些資深的Circuit designer和Layout engineer不清楚Deep N-Well (DNW)的用法，以為就是底下鋪一層DNW就好，其實還要搭配N-Well (NW)和n+才能達到我們要的效果。

Embedded USB2 (eUSB2) - 嵌入式USB2

USB2是21年前(西元2000年)所制定的規格，其介面電壓為 3.3V。當時最先進的製程為180nm(0.18um)其core device為1.8V，IO device 為3.3V或5V。經過20多年後，現在最先進的製程為3nm，其IO device為1.2V。

[開箱] Fenix E01 V2.0 AAA電池迷你手電筒

原本就有一支隨身的三號電池(AA)迷你電筒，前幾天手滑，又買了一支吃四號電池(AAA)的迷你手電筒。

在Garmin GPSMap 60CSx安裝魯地圖(MOI.OSM-Taiwan TOPO)

2021/10/13
在Garmin GPSMap 60CSx安裝魯地圖(MOI.OSM-Taiwan TOPO) 

目前去登山健行都是帶Garmin 62stc和手機上山，但最近兒子也想要拿個GPS device在手上，於是就把60CSx拿出來整理並更新魯地圖。

DDR SDRAM的Write Leveling (寫入均衡)

這篇繼續來說些 DDR interface相關的東西。如標題，本篇文章將會來介紹DDR SDRAM裡的write leveling(寫入均衡)功能。

DDR Interface Summary (DDR介面)

之前做過DDR IO和PHY的設計，本篇整理了DDR介面的一些電性規格，這裡只說明DDR和LPDDR的規格，至於GDDR不在討論範圍裡。DDR指標準的DRAM，就是我們在個人電腦(PC)上看到；LPDDR常出現需要低功耗的裝置上，如手機(mobile phone)、平板(tablet)、筆記型電腦(Notebook)上面；而GDDR則是GPU專用的DRAM。

2021露營紀錄

和之前一樣，這篇簡單紀錄2021年的露營紀錄，免得久了就忘了露過幾次?和哪些人去?去過哪些營地等?到目前為止，今年共露了4次。

姜子寮山(小百岳011)

新北汐止-姜子寮山 (小百岳011)
旅遊日期：2021年2月20日 (Sat.)
天氣：晴
人員：SL, lesley, 小倩, 小飛, and 小傑

過農曆年前，看到朋友登姜子寮山的照片，赫然想起還沒登過這座小百岳，就趁這個周末下午，全家一起來走姜子寮山。

名稱霧煞煞的USB規格

最近在看一些電腦規格，發現USB規格名稱實在很亂，常聽到的USB2、USB3.0、USB3.1、USB3.2、USB3.2gen1、USB3.2gne2x2、USB4 ，所以就稍微研究了一下它的歷史。

2020露營紀錄

2020露營紀錄

這篇簡單紀錄2020年的露營紀錄，免得久了就忘了露過幾次?和哪些人去?去過哪些營地等?到目前為止，今年共露了8次。

積體電路的天線效應 (Antenna Effect in IC)

這篇文章裡所提到的天線效應(Antenna effect)是在指IC製造過程中，用電漿(Plasma)做乾式蝕刻（Dry etching)，所造成的IC可靠度問題。

成因:
在製造金屬層(Interconnection or metal gate)的過程中，暴露在電漿下的金屬層就像天線一樣，會收集電漿所游離的電荷。當金屬層上的電荷太多，造成金屬層連接到的閘極氧化層(Gate oxide)的電場過高時，就會擊穿氧化層造成元件可靠度問題。

只有暴露在電漿下的金屬層會吸收游離電荷，而每個製程步驟完成後，會把晶圓上的電荷放掉(沖洗)。所以傳統的Antenna effect，基本上只有考慮單一層金屬的狀況，不會同時考慮多層金屬累積的電荷。