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2016年3月27日 星期日

Poly Space Effect (PSE)


接著來說Poly space effect (PSE) 或是Poly spacing effect,從字面上是Poly距離對元件造成的影響,而元件閘極是用Poly silicon所實現的,所以PSE就是閘極距離對元件所產生的影響(註一)。

什麼是PSE?
傳統的PSE是因光罩的誤差,製作過程中蝕刻(Etch)、沉積(Deposition)所造成的誤差。這可以用利用蒙地卡羅分析(Monte-Carlo analysis)來做模擬,來預估結果。而這裡要說的PSE則是另一個原因造成的。

2016年3月12日 星期六

OD Space Effect (OSE)

從0.25um以下的半導體製程,利用STI的方法來做隔絕元件與元件。由於STI的作法,會在Substrate上挖出一個溝槽,再填入二氧化矽當絕緣層,這個動作會產生應力的問題,對元件NMOS和PMOS產生額外的影響。

本篇所談的OD space effect (OSE) or OD spacing effect和先前提到的LOD effect [1], [2]一樣, 都是因為半導體製程裡STI (Shallow trench isolation)所造成的,所以LOD和OSE可稱為STI stress effect。在65nm之前的製程,OSE的影響並不明顯,所以STI stress effect單純指LOD effect。而45nm以下的先進製程,OSE的影響就不能再被忽略了。

2016年3月6日 星期日

跟著Double C去溜滑梯-奧爾森林學堂


跟著Double C去溜滑梯-奧爾森林學堂
旅遊日期: 2016/3/5
人員: bu, lesley, pcchen, mcchen
天氣: 晴
Geocache:  GCFBK5
座標:   N 25° 00.153 E 121° 19.653

奧爾森林學堂位在桃園的虎頭山山腳下,屬於桃園虎頭山風景區裡的一員。第一次聽到這名字時心裡想為什麼要叫"奧爾",原來這是一個以貓頭鷹(Owl)為主題,再搭配很多兒童遊戲設施的公園。